1、系統(tǒng)概述

IGBT、MOS等是廣泛應用于現(xiàn)代中、大功率變換器中的主流半導體開關器件。其中，城市軌道交通車輛的牽引逆變器、輔助逆變器等重要電氣設備中，大量使用了IGBT、MOS等器件，其各種靜態(tài)參數(shù)的測試為使用者可靠選擇器件提供了非常直觀的參考依據(jù)，因此在實踐中能準確測量各種靜態(tài)參數(shù)具有極其重要的實際意義。

EN-3020B 分立器件測試儀，是針對IGBT、MOS等器件的各種靜態(tài)參數(shù)而專門設計的一套全自動測試系統(tǒng)。系統(tǒng)標準功率源為2000V/100A。

該測試系統(tǒng)具有如下特點：

該測試系統(tǒng)是一套綜合參數(shù)測試系統(tǒng)，對設備自身的抗干擾能力要求較高，因此難度比較大；

該測試系統(tǒng)完全采用自動控制，測試可按測試員設定的程序進行自動測試；

該系統(tǒng)采用計算機記錄測試結果，并可將測試結果轉化為 EXCEL 文件進行處理。

該測試系統(tǒng)主要由以下部分組成：

Ø 柵極-發(fā)射極漏電流測試單元

Ø 柵極-發(fā)射極閾值電壓測試單元

Ø 集電極-發(fā)射極電壓測試單元

Ø 集電極-發(fā)射極飽和電壓測試單元

Ø 二極管壓降測試單元

Ø 二極管反向擊穿電壓測試單元

2、技術條件

2.1、環(huán)境要求

Ø 環(huán)境溫度濕度：室溫～40℃，小于70%；

Ø 大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa

Ø 電網(wǎng)電壓：AC220V±10%無嚴重諧波

Ø 電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz

2.2、主要技術指標

2.2.1、柵極-發(fā)射極電壓V_GES及漏電流I_GES

電壓V_GES：0-40V  誤差±2%  分辨率0.1V

電流I_GES：0.1-10µA  誤差±2%  分辨率0.01µA

集電極電壓：V_CE=0V

2.2.2、集電極-發(fā)射極電壓V_CES及電流I_CES

集電極電壓V_CES：100-2000V  誤差±2%  分辨率1V

集電極電流I_CES：100µA-5mA  誤差±2%  分辨率10µA

柵極電壓V_GE=0V

2.2.3、柵極-發(fā)射極閥值電壓VGE(th)

V_GE(th)：1-10V  誤差±2%  分辨率0.1V

顯示柵極-發(fā)射極閾值電壓V_GE(th)

2.2.4、集電極發(fā)射極飽和電壓VCE(sat)

V_CE（sat）：0.2-5V  誤差±2%  分辨率10mV

集電極電流I_CE：10-100A  誤差±2%  分辨率1A

2.2.5、二極管壓降測試VF

V_F：0-5V  誤差±3%  分辨率10mV

柵極電壓V_GE：0V

電流I_F：10-100A  誤差±2%  分辨率1A

2.2.6、二極管反向擊穿電壓BVR

電壓設定：100V-2000V  誤差±2%  分辨率1V

擊穿電流設定：0.1-10mA  誤差±2%  分辨率10uA