2013年低壓電力設備投資情況

電力設備板塊受益于1-7月電網投資特別是特高壓投資的高速增長,在最近持續(xù)跑贏大盤。在全年目標沒有變化的情況下,下半年投資增速放緩是既定的事實,但是在結構上將流向上半年低于預期的配網。另外,風電行業(yè)拐點來臨,低壓電器行業(yè)受益地產復蘇和原材料下跌,同樣值得關注。

明年或迎來配網投資高峰。今年1-7月,電網投資同比增長17%,達1947元,如此高的增速主要得益于上半年特高壓的集中交貨。我們認為,下半年超過兩位數(shù)的高速增長不可能維持,投資結構也將維持。但是,我們預期明年配網投資將迎來高峰,投資占比將大幅上升,利好配網設備企業(yè)。

配網自動化建設將迎來高峰。國務院常務會將加快配電網和智能電網建設定為今后工作的重點,過去幾年經過配網自動化試點、示范工程,配網自動化的技術方案逐步成熟,有在全國范圍內加快推廣的可能,未來配電自動化投資有望繼續(xù)快速增長。國網規(guī)劃到2015年之前,其配網自動化投資就將達400億,而過去每年的投資僅20-30億,市場具備成倍增長的想象空間。

風電行業(yè)迎來轉折點。我國風電行業(yè)在過去幾年經歷了“大躍進”式的發(fā)展,造成了并網難、事故頻發(fā)等后果,行業(yè)在11和12年步入了低谷。但是12年底和13年出現(xiàn)的幾個跡象讓我們判斷風電行業(yè)已經觸底,包括吊裝量企穩(wěn)、招標量翻倍、消納好轉、風機價格回升等。行業(yè)未來幾年將迎來穩(wěn)健成長。

低壓電器行業(yè)受益房地產復蘇和金屬下跌。房地產行業(yè)的開工面積在13年上半年重回正增長,竣工面積也維持了穩(wěn)定的增速,利好低壓電器行業(yè)需求。

1-8月主要原材料銅價和銀價大幅下跌,美國退出QE的預期將持續(xù)壓低原材料價格,預計下半年價格仍然疲弱,利好低壓電器行業(yè)的毛利率。

我國政府已經制定了在十二五期間高壓開關行業(yè)的發(fā)展規(guī)劃，其中重點提到了加強開關智能化的研制工作，其技術發(fā)展也與電器元件的智能化惜惜相關。

“十二五”時期，我國高壓開關行業(yè)應以堅強智能電網全面建設為契機，以特高壓交、直流輸電工程為依托，增強自主創(chuàng)新能力，大力提升開關設備智能化水平，推進環(huán)保、節(jié)能、減排設備;應以特高壓輸電技術和先進電氣設備及集成技術為重點發(fā)展領域，深入開展1000kV特高壓輸電及關鍵設備、核心技術研究，加速交、直流高壓設備的完全國產化;并通過對先進電氣設備及集成技術的前期研究，力求在超導電力裝備關鍵技術有重點突破;努力促進產業(yè)結構優(yōu)化、升級，進一步提升行業(yè)整體技術水平和國際競爭力，努力實現(xiàn)高壓開關行業(yè)由大到強的轉變。
目前，電氣產品的更新?lián)Q代非常頻繁，往往在短時間內，就可以淘汰很多舊式的產品系列。在電器元件智能化的同時，高壓開關也不斷向智能化方向推進。目前在國際上處于領先地位的高壓開關柜產品具有脫扣回路斷線監(jiān)測、動作時間檢測、接觸部件檢測、彈簧的儲能時間檢測等功能，綜合這些功能就構成了智能化高壓開關。

“十二五”期間，高壓開關行業(yè)大型骨干企業(yè)，進一步深入開展特高壓開關設備核心技術與關鍵部件的技術研究，實現(xiàn)特高壓裝備立足國內、自主研發(fā)、全面實現(xiàn)國產化的目標。結合智能電網、數(shù)字變電站、配網自動化等的建設，大力推進開關設備智能化。由于開關設備智能化技術尚屬行業(yè)的弱項，故建議先易后難地開發(fā)研制，如：先開發(fā)配網用智能斷路器，再研發(fā)配網智能化用開關柜，智能電網GIS、GCB及其他智能組件等，重點在開關一次設備和二次控制的整體融合與接口技術的研發(fā)。

全球半導體市場可望在2014年大發(fā)利市。新興市場對中低價智慧型手機需求持續(xù)升溫，除激勵相關晶片開發(fā)商加緊研發(fā)更高性價比的解決方案外，亦掀動16/14奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)與三維(3D)快閃記憶體等新技術的投資熱潮，為明年半導體產業(yè)挹注強勁成長動能。

應用材料副總裁暨臺灣區(qū)總裁余定陸表示，單就出貨量而言，現(xiàn)今高價智慧型手機的成長力道確實已不如中低價手機，促使手機品牌業(yè)者紛紛推出性價比更高的中低價產品，希冀藉此搶攻中國大陸、俄羅斯、東南亞與中南美等新興市場，進而激勵半導體產業(yè)市場產值向上成長。

余定陸進一步指出，過去個人電腦盛行時，電腦銷售是以「戶」為單位，因此銷售成長有限;現(xiàn)今智慧型手機銷售則是以「人」為單位，成長力道自然相對更加強勁，并同時可創(chuàng)造出更多半導體生產、封裝與設計的需求。毫無疑問，智慧型手機目前正主導著全球半導體市場，特別是未來中低價智慧型手機更是引燃2014年半導體市場商機熾熱的新火種。

隨著中低價智慧型手機已成為手機品牌業(yè)者新的主戰(zhàn)場，各家業(yè)者須推出「高貴不貴」的新產品，才有機會在激烈的市場中脫穎而出，因此半導體晶圓代工、封裝業(yè)者也正戮力研發(fā)16/14奈米與3D快閃記憶體等技術，并進一步提升半導體設備與材料效能，協(xié)助晶片商打造高效能的中低價智慧型手機方案。

事實上，行動運算時代與過去個人電腦時代最大的差異處，在于產品對耗電量的要求。以手機應用處理器(AP)為例，其運作大約需要2瓦(W)電力，且溫度須維持攝氏35度以下，才適合讓消費者握在手中;筆記型電腦的處理器運算能力雖然是應用處理器的四倍，但需要50瓦電力，運作溫度則是80度，顯見半導體業(yè)者若要卡位行動裝置商機，勢必得減少電晶體耗電量。

余定陸補充，新一代16/14奈米FinFET與3D快閃記憶體將是改善電晶體效能的最佳解決方案，并為半導體設備產業(yè)帶來更多商機;其中，16/14奈米FinFET將可為設備產業(yè)增加25～35%市場規(guī)模，快閃記憶體也將因為制程技術從2D轉向3D而增加25～35%市場規(guī)模。